特許

J-GLOBAL ID：200903029743667364

シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造方法及び半導体装置

発明者： 榎本 和宏 ,  阿部 浩一
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399807
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201415
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 機械特性、接着性、低比誘電率性に優れた絶縁膜を提供するためシリカ系被膜形成用塗布液、機械特性、接着性及び低比誘電率性に優れたを容易に歩留まりよく製造可能なシリカ系被膜の製造方法並びに低比誘電率性に優れた高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)有機置換基を含有するシロキサン加水分解重合物(シロキサン加水分解重合物に存在する全有機置換基のうち1〜30%の有機置換基がシリカ系被膜を製造する際に熱分解すること必須とする)、(B)ポーラス形成用熱分解揮発有機ポリマー重合物及び(C)(A)、(B)を共に溶解する有機溶媒を含んでなる、臨界表面張力が29×10-3N/m以上で、10KHzで測定した比誘電率が2.6以下であるシリカ系被膜形成用塗布液、このシリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布し、50〜450°Cで乾燥した後、200〜600°Cで加熱硬化させることを特徴とするシリカ系被膜の製造方法並びにこのシリカ系被膜の製造方法により得られたシリカ系被膜を有する半導体装置。

請求項（抜粋）：

(A)有機置換基を含有するシロキサン加水分解重合物(シロキサン加水分解重合物に存在する全有機置換基のうち1〜30%の有機置換基がシリカ系被膜を製造する際に熱分解すること必須とする)、(B)ポーラス形成用熱分解揮発有機ポリマー重合物及び(C)(A)、(B)を共に溶解する有機溶媒を含んでなる、臨界表面張力が29×10-3N/m以上で、10KHzで測定した比誘電率が2.6以下であるシリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (5件)：

C09D183/04 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/24 302 ,  C09D183/02 ,  C09D201/00

FI (5件)：

C09D183/04 ,  B05D 5/12 D ,  B05D 7/24 302 Y ,  C09D183/02 ,  C09D201/00

Fターム (20件)：

4D075BB24Z ,  4D075BB26Z ,  4D075BB93Z ,  4D075CA23 ,  4D075DC22 ,  4D075EB42 ,  4J038CE022 ,  4J038CF022 ,  4J038CG062 ,  4J038CG142 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038KA21 ,  4J038MA14 ,  4J038NA10 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02