特許

J-GLOBAL ID：200903029744234305

誘電体キャパシタおよびメモリならびにそれらの製造方法

発明者： 香取 健二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155391
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349245
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 微細加工が容易な誘電体キャパシタおよびメモリならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 下地部11の上に下部電極12,誘電体膜13および上部電極14を順次備える。下部電極12は下地部11の側から順にIrHfを含む密着層12c,Irを含む貴金属層12d,IrHfOを含む酸素含有層12a,Irを含む貴金属層12bを有する。上部電極14は誘電体膜13の側から順にIrを含む貴金属層14b,IrHfOを含む酸素含有層14aを有する。上部電極14,下部電極12に白金を用いていないので微細加工が容易となっている。また、誘電体膜13の結晶化あるいは結晶成長を行う前に上部電極14について成膜を行い、エッチング加工で成形することができる。よって、表面が滑らかな状態で加工することもでき、微細加工がより容易となる。

請求項（抜粋）：

下地部により支持されると共に、下地部の側から第1の電極,誘電体膜および第2の電極が順に形成された誘電体キャパシタであって、前記第2の電極は、白金(Pt),イリジウム(Ir),ルテニウム(Ru),ロジウム(Rh)およびパラジウム(Pd)からなる貴金属元素群のうちの少なくとも1種と、ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),ジルコニウム(Zr),ニオブ(Nb),バナジウム(V),モリブデン(Mo),タングステン(W)および希土類元素からなる遷移金属元素群のうちの少なくとも1種と、酸素(O)とからなる酸素含有材料を含む第2電極酸素含有層を備えると共に、この酸素含有材料の組成式は前記貴金属元素群の元素をMI とし前記遷移金属元素群の元素をMIIとするとMIaMIIb Oc で表され、その組成範囲は原子%で90≧a≧4,15≧b≧2,c≧4,a+b+c=100であることを特徴とする誘電体キャパシタ。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (17件)：

5F001AA17 ,  5F001AD33 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA31 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR12 ,  5F083PR18 ,  5F083PR23