特許
J-GLOBAL ID：200903029746046565
イオン注入方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331016
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166745
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 パラレルスキャンによるイオン注入方法でもって、半導体ウェーハの処理面に浅い不純物層を容易に形成することにある。【構成】 半導体ウェーハ(12)の処理面(13)をイオン源(11)に向けて配置し、上記イオン源(11)から発せられた不純物イオンを質量分析及び加速させた上で、そのイオンビーム(18)をパラレルスキャンしながら半導体ウェーハ(12)の処理面(13)に打ち込んで不純物をドーピングする方法であって、上記半導体ウェーハ(12)を、その処理面(13)の法線方向Lがイオンビーム照射方向Sに対して約 10°〜 70°の角度θとなるように傾倒させて配置する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの処理面をイオン源に向けて配置し、上記イオン源から発せられた不純物イオンを質量分析及び加速させた上で、そのイオンビームをパラレルスキャンしながら半導体ウェーハの処理面に打ち込んで不純物をドーピングする方法であって、上記半導体ウェーハを、その処理面の法線方向がイオンビーム照射方向に対して約 10°〜 70°の角度となるように傾倒させて配置するようにしたことを特徴とするイオン注入方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 U
, H01L 21/265 C
