特許
J-GLOBAL ID：200903029748655488
膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360292
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172562
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、溶液の長期保存安定性、塗膜の均一性や機械的強度に優れ、比誘電率2.5以下の塗膜が得られる膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物Si(OR2)4 ・・・・・(2)(R2は1価の有機基を示す。)からなる化合物を酸触媒と水の存在下で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方(B)プロピレングリコールモノアルキルエーテルならびに(C)ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物Si(OR2)4 ・・・・・(2)(R2は1価の有機基を示す。)からなる化合物を酸触媒と水の存在下で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方(B)プロピレングリコールモノアルキルエーテルならびに(C)ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (3件)：
C09D171/02
, C09D 5/25
, C09D183/04
C09D171/02
, C09D 5/25
, C09D183/04
4J038DF021
, 4J038DF022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038JA02
, 4J038JA03
, 4J038JA17
, 4J038JA25
, 4J038JA55
, 4J038JC32
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038KA09
, 4J038NA11
, 4J038NA17
, 4J038NA21
, 4J038NA26
, 4J038PB09
, 4J038PC02
, 4J038PC08
