特許
J-GLOBAL ID：200903029752029338
半導体容量式加速度センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018723
公開番号（公開出願番号）：特開平5-215770
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【目的】加速度印加時のダイヤフラムまたは、梁の変位,変形を円弧状ではなく、垂直平行移動させて、直線性,精度向上を計ることと、ウェハ同士の接合時に接合歪み、アルカリ成分の析出を抑える。【構成】半導体基板と半導体基板の上面に形成された可動電極と、可動電極の周辺にマイクロマシニングで形成された厚さ10〜60μmのダイヤフラム部または、梁部と半導体基板に平行で可動電極とギャップが、数μm、かつ、可動電極と同一面積の固定電極を有するシリコン基板が、ウェハ接合で接合され、半導体基板のダイヤフラム部または、梁部が形成され、可動電極が加速度に比例して垂直に変位する可動電極で構成されたものである。
請求項（抜粋）：
シリコン基板をエッチングしてダイヤフラム状に形成し、その中央部に容量検出用の電極を設けた半導体基板と、その上面に相対する電極を設けたシリコン部にて容量検出用のギャップを構成するシリコン基板が、加速度に比例して出力が検出されることを特徴とした半導体容量式加速度センサ。
IPC (2件)：
引用特許：
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