特許

J-GLOBAL ID：200903029756919206

磁性薄膜用ターゲット材とその製造方法、Fe-M-C軟磁性膜とその製造方法、およびこれを用いた磁気ヘッドならびに磁気記録再生装置

発明者： 一安 六夫 ,  安河内 正也 ,  青木 茂夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社 ,  株式会社安来精密 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119748
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010122
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：

【要約】【目的】 Fe-M(MはTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,Wから選ばれた1種または2種以上)-C系の均質な薄膜を得ることができる磁性薄膜用ターゲット材およびその製造方法を提供する。【構成】 本発明は原子比率で金属Mが5〜20%、炭素が6〜20%、残部Feおよび不可避的不純物からなる組成を有し、組織が金属Mと金属Mの炭化物の少なくともいずれかおよびFeとFeの炭化物の少なくともいずれかからなるか、あるいは遊離炭素が原子比率で5%以下である磁性薄膜用ターゲット材である。また、本発明の製法は金属Mの粉末と炭素との化合物と、Feと炭素の合金またはこれに金属Mを固溶している金属合金粉末とを配合するか、あるいはこれに加えて5原子%以下の炭素粉末を配合してから焼結することを特徴とする磁性薄膜用ターゲット材の製造方法である。

請求項（抜粋）：

原子比率で金属M(MはTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wから選ばれる1種または2種以上)が5〜20%、炭素が6〜20%、残部Feおよび不可避的不純物からなる組成を有し、組織中に存在する炭素の75%以上が金属Mとの化合物粒子として存在することを特徴とする磁性薄膜用ターゲット材。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C22C 38/00 303 ,  C22C 45/02 ,  C23C 14/06 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/14