特許

J-GLOBAL ID：200903029757246841

半導体装置およびその製造方法

発明者： 渡部 真也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114945
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315457
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 複数の深さの異なるコンタクトホールを同時にエッチングによって形成する際の、下地の損傷あるいはエッチング不足などを解消する。【構成】 複数の深さの異なるコンタクトホール20,22を同時にエッチングによって形成するに際し、各コンタクトホール20,22の開口の大きさを適宜変えることによってエッチング選択比を制御する。また、コンタクトホールを形成する領域の下地に予め窪みを形成することにより、コンタクトホールの深さを深くすることができ、それによって複数コンタクトホールの深さの違いを縮小することができる。

請求項（抜粋）：

導電層間に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜を貫通して形成され、導電層間を電気的に接続するための、第1のコンタクトホールと、前記層間絶縁膜を貫通して形成され、導電層間を電気的に接続するための、前記第1のコンタクトホールよりも深さの深い第2のコンタクトホールとを備え、前記第2のコンタクトホールは、前記第1のコンタクトホールよりも径が小さくなるように形成された半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-160121
  
• 特開平3-198364
  
• 特開平2-026024