特許
J-GLOBAL ID：200903029757772993
ベーク処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107003
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299333
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 フォトリソグラフィープロセスでのウェハのベーク処理において、プロキシミティベークでの温度安定性の向上を図る。【構成】 ホットプレート2上にプロキシミティピン3を介して載置されたウェハ1の輻射熱をセンサ5で検出し、センサ5の出力信号に基いてウェハ1の表面温度を演算処理部6で演算し、その温度出力信号に基いてヒータ4の加熱によるウェハ表面温度が予め設定した温度になるようにヒータ4の出力を温度制御部7で制御する。
請求項（抜粋）：
輻射熱センサと、演算処理部と、温度制御部とを有し、半導体基板をヒータで加熱されたホットプレート上にプロキシミティピンを介して載置し、基板のベーク処理を行うベーク処理装置であって、輻射熱センサは、ホットプレートで加熱された半導体基板からの輻射熱を検出するものであり、演算処理部は、輻射熱センサの出力信号に基づいて半導体基板の表面温度を演算するものであり、温度制御部は、演算処理部からの温度出力信号に基づいて、基板表面温度が設定温度になる出力値にホットプレート加熱用ヒータの出力を制御するものであることを特徴とするベーク処理装置。
引用特許：
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