特許

J-GLOBAL ID：200903029760462881

発光ダイオードアレイ

発明者： 田尻 敦志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-154529
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327013
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 発光強度分布を均一化でき、しかも光取り出し効率が高く、更にその作製工程数が少ない発光ダイオードアレイを提供する。【構成】 直線状に並設させたメサ形状をなす複数の各発光領域8の斜面にn型GaAs層4(オーミックコンタクト用の結晶成長層)を有し、このn型GaAs層4から個別電極6が引き出されている。p型GaAlAs層2とn型GaAlAs層3とのp-n接合面は、絶縁膜5にのみ接触し、他の結晶成長層には接触しない。このp-n接合面に発生した光は、漏れることなくまた個別電極6に段されることなく、確実に外部に取り出される。

請求項（抜粋）：

複数のメサ形状の発光領域を直線状に並設してなる発光ダイオードアレイにおいて、前記各メサ形状の発光領域の斜面に設けられたオーミックコンタクト用の結晶成長層と、該結晶成長層から引き出された個別電極とを有することを特徴とする発光ダイオードアレイ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-143889
  
• 特開平4-097575
  
• 特開昭60-218888