特許

J-GLOBAL ID：200903029760487051

サージ防護素子

発明者： 岡本 洋 ,  畑野 桂司 ,  長谷川 健 ,  村上 義男
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110741
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168222
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】 線路L1と接地Gとの間及び線路L2と接地Gとの間の双方にサージが侵入した場合に確実にSLIC用IC等の電子回路を防護する。【解決手段】 複数のpnpn型又はnpnp型サイリスタからなり、表面に第1及び第2電極11,12が設けられ、裏面に第3電極13が設けられた三端子型サージ防護素子10である。第1電極11と第3電極13との間の一部がサイリスタ構造に形成され、第1電極11と第3電極13との間の他の部分がpn接合構造に形成され、第2電極12と第3電極13との間の一部がサイリスタ接合構造に形成され、第2電極12と第3電極13との間の他の部分がpn接合構造に形成され、かつ第1電極11と第2電極12の間が双方向サイリスタ構造に形成される。

請求項（抜粋）：

複数のpnpn型又はnpnp型サイリスタからなり、表面に第1及び第2電極(11,12)が設けられ、裏面に第3電極(13)が設けられたサージ防護素子において、前記第1電極(11)と前記第3電極(13)との間の一部がサイリスタ構造に形成され、前記第1電極(11)と前記第3電極(13)との間の他の部分がpn接合構造に形成され、前記第2電極(12)と前記第3電極(13)との間の一部がサイリスタ接合構造に形成され、前記第2電極(12)と前記第3電極(13)との間の他の部分がpn接合構造に形成され、かつ前記第1電極(11)と前記第2電極(12)の間が双方向サイリスタ構造に形成されたことを特徴とするサージ防護素子。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/747

FI (4件)：

H01L 29/90 Z ,  H01L 29/747 ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/74 H