特許
J-GLOBAL ID：200903029761620286
半導体イオンセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363960
公開番号（公開出願番号）：特開2000-187017
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】高感度で高精度の半導体イオンセンサを提供する。【解決手段】誘電体分離基板30の一方の半導体島状領域32aに電界効果型トランジスタ40が形成され、他方の半導体島状領域32bの主表面上に絶縁膜25を介してイオン感応膜6が形成されている。電界効果型トランジスタ40は、前記一方の半導体島状領域32aの主表面側のチャネル部4上にゲート絶縁膜15を介してゲート電極16が形成されている。ドレイン電極7、ソース電極8、ゲート電極16上には絶縁膜19が形成され、絶縁膜19上には電界効果型トランジスタ40を覆い該電界効果型トランジスタ40への外光を遮光する遮光膜27が形成されている。前記他方の半導体島状領域32bと電界効果型トランジスタ40のゲート電極16とを接続する配線26を備えている。
請求項（抜粋）：
誘電体により互いに分離された2つの半導体島状領域と、一方の半導体島状領域に形成された電界効果型トランジスタと、他方の半導体島状領域の主表面上に絶縁膜を介して形成されたイオン感応膜と、前記他方の半導体島状領域と電界効果型トランジスタのゲート電極とを接続する配線と、電界効果型トランジスタを覆い該電界効果型トランジスタへの外光を遮光する遮光膜とを備えることを特徴とする半導体イオンセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/30 301 V
, G01N 27/30 301 U
