半導体膜形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318090
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160039
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】堆積膜形成装置を、膜厚方向に均一に膜を堆積することができるようにする。【構成】堆積膜形成装置10は、RF電極18と基体1との間にシャッター機構が設けられている点が従来の堆積膜形成装置と異なる。ここで、シャッター機構は、RF電極18と基体1とを遮るシャッター31と、シャッター31をシャッター軸311 を軸として回転させてシャッター31の開閉を行うモーターなどの動力32とからなる。また、チャンバー12内の構造物はRF電極18以外はシャッター31を含みすべて接地されている。

請求項（抜粋）：

RF電極と基体と間に放電を発生させて前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記基体と前記RF電極との間に、シャッター機構が設けられていることを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 26/00 , H01L 21/285

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