特許
J-GLOBAL ID：200903029772145903
半導体基板アッシング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158279
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135196
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】マイクロ波を利用する半導体基板アッシング装置において、マイクロ波の漏洩発生時の安全性を確保する。【構成】マイクロ波発生部3及び導波菅2の連結部の外周部にマイクロ波を検出する検出器6を設け、インターロック回路7にて設定した量以上の漏洩量があった場合、マイクロ波発生部3を制御する電源制御部4に対してマイクロ波発生停止信号を出し、ただちにマイクロ波の発生を中断する。
請求項（抜粋）：
マイクロ波を用いてプラズマを励起させ、半導体基板上のレジストや有機膜の剥離を行うマイクロ波利用のアッシング装置において、マイクロ波の伝送する複数の導波菅の連結部の外周部にマイクロ波検出器を備え、このマイクロ波検出器がマイクロ波の漏洩量を一定の値以上を検知すると、マイクロ波発生部を制御する電源制御部に対してマイクロ波発生停止信号を出し、アッシング処理を中断するインターロック回路を有することを特徴とするアッシング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 H
, H01L 21/302 E
, H01L 21/30 572 A
