特許
J-GLOBAL ID：200903029777948699
バイポーラ半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237904
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175204
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 高速でかつ良好な電気特性を有するバイポーラ半導体装置を得る。【構成】 ポリシリコンなどの薄い膜厚のシリコン薄膜124を介して、エミッタ不純物またはベース不純物をイオン注入することにより、エミッタ領域116および活性ベース領域114を形成する。また、イオン注入によりリンクベース領域113を自己整合的に形成し、また、ポリシリコン薄膜123からの不純物拡散により外部ベース領域115を形成する。【効果】 自然酸化膜の影響をなくしながら、比較的低い拡散温度と短い時間で従来よりもベース幅を薄くでき、シリコン薄膜124の膜厚のばらつきによるベース幅のばらつきを防ぐことできるのでトランジスタの性能をあげることができる。また活性ベース領域114と外部ベース領域115とをリンクベース領域113により確実に連結することができる。
請求項（抜粋）：
コレクタとなる第1導電型の単結晶性の第1の半導体領域上に非単結晶性の第1の半導体薄膜を形成する工程と、この第1の半導体薄膜を介して第1導電型の不純物を注入することにより、前記第1の半導体領域中にエミッタとなる第1導電型の第2の半導体領域を形成する工程と、前記第1の半導体薄膜を介して第2導電型の不純物を注入することにより、ベースとなる第2導電型の第3の半導体領域を形成する工程と、前記第1の半導体薄膜上に非単結晶性の第1導電型の第2の半導体薄膜を形成する工程とを含むバイポーラ半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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