特許
J-GLOBAL ID：200903029783789209
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123438
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327126
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 リッジ導波路形成後の再成長によって電流ブロック層形成する際の再成長界面特性を改善する。【構成】 AlGaAsからなるクラッド層4で構成されるリッジ導波路を、まずAlGaAsからなる再成長界面保護層5を形成したのち、連続してGaInPからなる電流ブロック層6をエピタキシャル成長させることにより埋め込む構成とした。【効果】 再成長界面特性が改善されるため、リーク電流が減少し、しきい値電流が下がるとともに、高信頼性を実現できる効果。
請求項（抜粋）：
活性層がAlGaAsクラッド層に格子整合するか、もしくは歪が印加されてなるIII -V族化合物半導体材料で構成されたダブルヘテロ接合および前記AlGaAsクラッド層をリッジ形状に加工してなる導波路構造を有するとともに、導波路側面が前記クラッド層上に形成され、前記活性層よりもバンドギャップが大きく、かつ前記AlGaAsクラッド層よりも屈折率の小さなAlGaInP系材料からなる電流ブロック層で埋め込まれた半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層をAlGaAs系材料からなる再生長界面保護層を介して形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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