特許
J-GLOBAL ID：200903029786384668
薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-145657
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056912
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】工程中において、絶縁劣化、絶縁破壊を防止できると共に、絶縁特性測定の可能な薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その処理方法を提供する。【解決手段】第1のシールド膜3は基体1の上に積層され、第1の絶縁膜71は第1のシールド膜3の上に積層されている。磁気抵抗効果素子9、第1及び第2の電極膜11、13は、第1の絶縁膜71の上に備えられる。第1及び第2の電極膜11、13は、磁気抵抗効果素子9の端部に接続されている。第2のシールド膜5は、第2の絶縁膜72の上に備えられている。導体膜191は、第1の電極膜11と、第2のシールド膜5とに電気的に接続されている。導体191の中間部は、第2のシールド膜5の膜端縁から間隔△G2だけ離れた位置にある。
請求項（抜粋）：
基体上に複数の薄膜磁気ヘッド要素を有する薄膜磁気ヘッド集合体であって、前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第1のシールド膜と、第1の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第1の電極膜と、第2の電極膜と、第2の絶縁膜と、第2のシールド膜と、導体膜とを含んでおり、前記第1の絶縁膜は、前記第1のシールド膜の上に備えられており、前記磁気抵抗効果素子は、前記第1の絶縁膜の上に備えられており、前記第1及び第2の電極膜は、前記第1の絶縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の両端部に接続されており、前記第2の絶縁膜は、前記第1の電極膜、前記第2の電極膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、前記第2のシールド膜は、前記第2の絶縁膜の上に備えられており、前記導体膜は、前記第1の絶縁膜の上に設けられ、前記第1及び第2のシールド膜のうち、少なくとも前記第2のシールド膜の膜面の外部を通って導かれ、前記第1及び第2の電極膜の少なくとも一方と、前記第1及び前記第2のシールド膜の少なくとも一方とに電気的に接続されている薄膜磁気ヘッド集合体。
Fターム (7件)：
5D034BA03
, 5D034BA09
, 5D034BA15
, 5D034BB08
, 5D034BB12
, 5D034CA07
, 5D034DA07
