半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-157638
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329200
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】平坦性の高い単結晶シリコン薄膜を、簡便かつ低コストに絶縁膜上に形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、単結晶シリコン11の主表面上に、開口部を有する絶縁膜12を形成する工程と、前記開口部において露出している前記単結晶シリコン11の表面上及び前記絶縁膜の表面上に、アモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜を単結晶化するための熱処理工程と、前記アモルファスシリコン膜が単結晶化した領域15上に、気相成長法により単結晶シリコン膜19を形成する工程とを具備する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンの主表面上に、開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記開口部において露出している前記単結晶シリコンの表面上及び前記絶縁膜の表面上に、アモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜を単結晶化するための熱処理工程と、前記アモルファスシリコン膜が単結晶化した領域上に、気相成長法により単結晶シリコン膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/20

FI (1件)：

H01L21/20

Fターム (10件)：

5F152AA02 , 5F152BB02 , 5F152CC08 , 5F152CC16 , 5F152CD13 , 5F152CE05 , 5F152CE13 , 5F152CE24 , 5F152CE32 , 5F152FF21

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-208920号公報
特開平2-211616号公報
特許第2994667号公報

審査官引用 (9件)

特開平2-211616
特開平2-191319
特開昭59-204228

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