特許

J-GLOBAL ID：200903029787431236

絶縁膜形成方法及び半導体素子

発明者： 森 啓
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043308
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236873
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 SiO<SB>2-X</SB>(0≦X<1)からなる良好な絶縁膜を低温かつ低真空度の条件で歩留りよく安価に形成する。【構成】 SiOの個体又は粉末を加熱蒸発させ、蒸発したSiOを気相中又は基板1上で酸素と反応させて前記SiO<SB>2-X</SB>を生成し、このSiO<SB>2-X</SB>を基板1上に付着させて前記絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

SiO<SB>2-X</SB>(0≦X<1)からなる絶縁膜を基板上に形成する絶縁膜形成方法であって、SiOの個体又は粉末を加熱蒸発させ、蒸発したSiOを気相中又は基板上で酸素と反応させて前記SiO<SB>2-X</SB>を生成し、このSiO<SB>2-X</SB>を基板上に付着させて前記絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-260138
  
• 特開昭60-192347
  
• 特開昭59-217332