発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：萼経夫 , 宮崎嘉夫 , 舘石光雄 , 小野塚薫 , 田上明夫 , ▲高▼ 昌宏 , 中村壽夫 , 加藤勉 , 村越祐輔 , 小宮知明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316839
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135321
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】クラックの発生率を減少できる発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】傾斜した側壁を有する共に、N型半導体層、活性層およびP型半導体層を含んでいる素子構造物111と、該素子構造物上に形成されたP電極パッド層120と、該P電極パッド層上に形成された反射金属膜130と、前記素子構造物111、P電極パッド層120、反射金属膜130、および該反射金属膜上部の一部を取り囲むパッシベーション層140と、該パッシベーション層を取り囲むシード金属層150と、該シード金属層と前記反射金属膜とを取り囲む金属層160と、前記素子構造物の下部に形成されたN電極パッド層170とを含むことを特徴としている。【選択図】図4h

請求項（抜粋）：

傾斜した側壁を有する共に、N型半導体層、活性層およびP型半導体層を含んでいる素子構造物と、該素子構造物上に形成されたP電極パッド層と、該P電極パッド層上に形成された反射金属膜と、前記素子構造物、P電極パッド層、反射金属膜、および該反射金属膜上部の一部を取り囲むパッシベーション層と、該パッシベーション層を取り囲むシード金属層と、該シード金属層と前記反射金属膜とを取り囲む金属層と、前記素子構造物の下部に形成されたN電極パッド層とを含むことを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA33 , 5F041CA02 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92

引用特許：

審査官引用 (2件)

特許第6172382号
特許第6172382号

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