特許
J-GLOBAL ID：200903029800558640
CVDプラズマの点火の処理方法と装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
米原 正章 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200205
公開番号（公開出願番号）：特開平5-195229
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1993年08月03日
要約：
【要約】【目的】 経済的であってそして反応室の望ましくないいかなる反応生成物も被覆の性質を損なわないようにマイクロ波プラズマを点火する。【構成】 少なくとも短時間に印加される高電圧によって反応室のガス入り口側でプラズマは点火される。10から100KHzの周波数範囲の高周波パルスまたは低周波高電圧が使用される。高電圧はマイクロ波パルスと同期している。更なる方法によれば、マイクロ波パルスは短時間の少なくともその初期には急激に増大させられる。またマイクロ波パルスの周期的な急激な増大は可能である。断続可能な高電圧源8a、8bが遅延素子6と電流供給ユニット5とを経て、マイクロ波デバイス4、3、2に接続されているクロック発生器7の出力に接続されている。スイッチ可能な高電圧源8a、8bの出力は反応室のガス放電線10に印加される。
請求項（抜粋）：
反応ガスが反応室へ通され、プラズマがそこで励起され、マイクロ波パルスによって点火の後、そして予め決められた時間保持され、少くとも短時間の間に印加される高電圧によって反応室のガス出口側でプラズマが点火されることで特徴づけられるところの基板の被覆のために反応室内のCVDプラズマの点火のための処理方法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 4/00
, H01L 21/31
