特許

J-GLOBAL ID：200903029800744494

MISダイオード

発明者： 金澤 由理
出願人/特許権者： 株式会社精工舎 ,  日本プレシジヨン・サーキツツ株式会社
代理人 (1件)： 松田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152587
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 ゲート電極の特定の箇所に電界が集中せず、しかも寄生抵抗の小さいMISダイオードを提供することである。【構成】 1はシリコン基板、2はゲート絶縁層、3はLOCOS法で形成されたフィールド絶縁層、4はゲート電極、5は不純物拡散層、6はゲート絶縁層2に設けた開口部、7はシリコン基板1とのコンタクト用の基板電極である。ゲート電極4の平面形状を長方形の角部を除去した形状にしたため、ゲート電極の特定の箇所に電界が集中せず、また、ゲート電極4の中心部から基板電極7(不純物拡散層5)までの距離が“L”が短くなるため寄生抵抗が小さくなる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極を長方形の角部を除去した平面形状にしたMISダイオード。