特許
J-GLOBAL ID：200903029805928186
面型光半導体素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250552
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098236
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】発熱が小さく特性の優れた面発光半導体装置を提供する。【解決手段】n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2,n型DBR層3,n型クラッド層4が積層されている。n型クラッド層4上にi型GaAs活性層5を介してp型クラッド層6が形成されている。p型クラッド層6上にp型DBR層7が形成されている。そして、上記構造は、レーザが放射される円柱状の活性領域8と、表面から水素イオンが選択的に注入され、活性層5付近の絶縁化をはかった高抵抗化領域9とからなる。そして、高抵抗化領域8の表面に陽極電極10が形成され、n型GaAs基板1下面に陰極電極11が形成されている。
請求項（抜粋）：
複数の半導体層が積層され、発光又は受光に供される活性領域の周囲にイオン注入による高抵抗化領域を設けた半導体積層構造部と、前記高抵抗化領域の表面に電極を形成した面型光半導体素子において、前記高抵抗化領域は、表面部が選択的にイオン注入され、内部が全体的にイオン注入されていることを特徴とする面型光半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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