特許
J-GLOBAL ID：200903029808093239
発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277776
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064415
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】エピタキシャル成長用の原料溶液を共用することによって、Gaの使用量を減らし、安価で量産性に優れたSH構造のLEDを製造する。【解決手段】スライダ1を移動してp型GaAs基板2とp型の第1層目用原料溶液5を接触させてp型AlGaAs活性層を成長する。次にスライダ1を戻して基板2を第1層目用原料溶液5から分離した後、第1層目用原料溶液5中にn型のドーパント10およびGaAs、Alを追加して、第1層目用原料溶液5をp型からn型に反転させ、第2層目用原料溶液7を作製する。再びスライダ1を移動してn型に反転した第2層目用原料溶液7に基板2を接触させてn型AlGaAsウインドウ層を成長する。
請求項（抜粋）：
p型GaAs基板上にp型AlGaAs活性層、n型AlGaAsウィンドウ層をシングルヘテロ接合として液相エピタキシャル成長する工程を有し、上記n型AlGaAsウインドウ層成長時、上記p型AlGaAs活性層の原料溶液にn型のドーパントを追加して該原料溶液をn型に反転させ、このn型に反転した原料溶液によって上記n型AlGaAsウィンドウ層を成長することを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 21/208 S
