特許
J-GLOBAL ID：200903029810000817
光還元力蓄積型フォトレジストを用いる無電解パターンメッキ法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-045710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-235069
出願日： 1991年02月20日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 無電解メッキとフォトレジストの光酸化還元作用とを利用して、密着力が大きく、平滑性が良く、そして空間分解能の高い、金属皮膜パターンを得ること。【構成】 ネガ型フォトレジストが光照射を受けたとき、光硬化すると同時に電気化学的な酸化還元力を生じる場合、還元剤と接して反応させることによって膜内に還元力を蓄積できる。膜をエッチングすれば、還元力が蓄積したパターンが高分解能で得られる。還元力を蓄積したパターンを無電解メッキの触媒となる金属の塩を含む溶液に浸すと、パターン上に触媒金属の微粒子が高密度に析出する。その後、無電解メッキ浴に浸せば、鏡面光沢を持つ金属皮膜のパターンが高分解能で得られる。金属皮膜の密着力はフォトレジストと基板の密着力に依存し、全般的に高かった。
請求項（抜粋）：
溶液からのスピンコート、あるいは吹き付け塗布が可能であり、かつ100 ゚C程度の処理温度で硬化し、かつ光照射下で酸化還元力を生ずるネガ型フォトレジスト材料からなる薄膜を、還元性物質に接しさせながら光照射することによって、あるいは該フォトレジスト材料と還元性物質を混合した材料からなる薄膜を光照射することによって、該フォトレジスト薄膜をパターン化すると同時に、該パターンに電気化学的な還元力を蓄積することを特徴とするフォトレジストパターニング法。
IPC (3件)：
C23C 18/20
, G03F 7/038
, H05K 3/18
