炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法及び同ウエハ上に作製された半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295413
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064383
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 SiCエピタキシャルウエハ中の結晶欠陥を低減しながら表面の平坦性の高いエピタキシャルウエハを作製する方法、これによって得られたSiCエピタキシャルウエハ、及び同ウエハ上に作製された半導体装置を提供する。【解決手段】 α型の結晶構造を持つ炭化珪素の{0001}面から0°以上1°未満オフした基板上に形成したことを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハ。炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法において、α型の結晶構造を持つ炭化珪素の{0001}面から0°以上1°未満オフした基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

α型の結晶構造を持つ炭化珪素の{0001}面から0°以上1°未満オフした基板上に形成したことを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハ。

IPC (6件)：

H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/36 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L29/861

FI (6件)：

H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/36 A , H01L29/16 , H01L29/91 F , H01L29/78 301B

Fターム (42件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB04 , 4G077DB15 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077ED05 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TB13 , 4G077TE02 , 4G077TK06 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030JA04 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA12 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AD18 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB01 , 5F045BB12 , 5F045CA19 , 5F140AA05 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC12

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第4,912,064号
炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-241899 出願人：松下電器産業株式会社
SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-084510 出願人：富士電機株式会社

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審査官引用 (4件)

炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-241899 出願人：松下電器産業株式会社
SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-084510 出願人：富士電機株式会社
炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-329162 出願人：新日本製鐵株式会社

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引用文献：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (3件)

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