特許

J-GLOBAL ID：200903029814605080

半導体デバイス用研磨装置及び半導体デバイスの研磨方法

発明者： 品田 邦典 ,  河西 敏雄
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293155
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121410
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの形状劣化や加工変質層の発生のない半導体デバイス研磨装置及び半導体デバイス研磨方法を提供する。【解決手段】 ダミーリング14は、粗動Zテーブル11のエアシリンダによりポリシャ4押し当てられる。半導体デバイス26は、研磨開始前に同一のポリシャ面上に位置するように、エアシリンダ22で押し当てられ、その状態でエアシリンダ22がエアロックされて、半導体デバイス26の上下位置が固定される。研磨工程において、ダミーリング14はほとんど研磨されず、半導体デバイス26のみが研磨される。よって、研磨の進行と共に、最初はポリシャ4に接触していた半導体デバイス26は、徐々に非接触状態へと移行していく。非接触状態の研磨においては、接触状態の研磨において発生した半導体デバイス26の最表層部の乱れがエッチングにより取り除かれる。

請求項（抜粋）：

回転するポリシャの上に半導体デバイスを回転かつ揺動させながら押し付け、ポリシャと半導体デバイスの間に研磨液を供給しながら半導体デバイスの研磨を行う半導体デバイス用研磨装置において、半導体デバイスの外周を囲むダミーリングが設けられていると共に、半導体デバイスの上下方向位置を調整する機構が設けられており、前記ダミーリングは、半導体デバイスよりも研磨されにくい材料で形成されていることを特徴とする半導体デバイス用研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 321 H ,  H01L 21/304 321 E ,  B24B 37/04 E ,  B24B 37/04 D