特許

J-GLOBAL ID：200903029814883691

半導体装置の製造方法

発明者： 篠原 正英
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-097176
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297684
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 バッファコート膜の色調の変化を最小限に抑えるとともに、機械的強度、電気的性質、密着性等を低下させることなく耐薬品性を向上させる。【解決手段】 素子や金属配線パターンが形成された半導体基板上に、バッファコート膜としてポリイミド膜を形成する工程と、このポリイミド膜を熱処理する工程とを備え、この熱処理工程では、最高均熱処理を酸素濃度Xが0.5v/v%<X≦20v/v%に調整された雰囲気下で行なう。

請求項（抜粋）：

素子が形成された半導体基板上に、炭素環式化合物を含む樹脂を主成分とするバッファコート膜を形成する工程と、該バッファコート膜を熱処理する工程とを有してなる半導体装置の製造方法であって、前記熱処理工程を、酸素濃度Xが0.5v/v%<X≦20v/v%の範囲内の雰囲気中で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/312 M ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 S