特許

J-GLOBAL ID：200903029814906888

保護膜付き半導体ウェハ

発明者： 谷 毅彦 ,  柴田 真佐知 ,  隈 彰二
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337187
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201689
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】ウェハ表面を特性の良好な保護膜で被覆することによって、洗浄やエッチング等の前処理をすることなく、高品質なエピタキシャル結晶やイオン打ち込み層を得る。【構成】研磨、洗浄、乾燥後のGaAsウェハ2の表面3には活性な未結合手1が存在する。そこで、ウェハ表面3にLB膜4を1分子層形成して、ウェハ表面3の未結合手1を不活性化する。その上に高分子膜5を圧着してLB膜4の分子端と高分子膜5を結合して表面保護膜を形成する。これにより保管中のウェハ表面3への不純物の付着、酸素や水分による表面酸化が抑止される。LB膜4と高分子膜5の結合は、LB膜4とウェハ表面3の結合に比較してかなり強いので、高分子膜5を機械的に剥がすだけでウェハ表面3とLB膜4の界面で剥がれ、清浄なウェハ表面3が得られる。

請求項（抜粋）：

表面に分子層レベルのラングミュア・プロジェット(LB)膜を形成し、その上に高分子膜を被覆した保護膜付き半導体ウェハ。