特許

J-GLOBAL ID：200903029828694646

トンネル効果型半導体装置

発明者： 山本 悌二 ,  稲井 誠
出願人/特許権者： 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221324
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069520
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 大電流増幅を行い高出力を得ることができるとともに、従来に比較してより高速のスイッチング特性を得ることができ、しかも半絶縁性半導体基板上で形成することができるトンネル効果型半導体装置を提供する。【構成】 平坦部1a,1b間に斜面部1cが形成されるように段差を形成した半絶縁性化合物半導体基板1上に、結晶成長法によって電子の状態密度が増大するように、活性層となるプレーナドープ層3、変調ドーピング層、多重量子井戸層、又は半導体超格子型井戸層として両性不純物をドープした化合物半導体層を形成し、その上に化合物半導体にてなるコンタクト層5a,5b,5cと電極6,7とを形成することによって、上記段差によって形成される上記活性層の平坦部と斜面部との間に於いて伝導型の違いで横方向p-n接合を形成しかつ上記横方向のp-n接合においてトンネル効果を出現させる。

請求項（抜粋）：

平坦部間に斜面部が形成されるように段差を形成した半絶縁性化合物半導体基板上に、結晶成長法によって電子の状態密度が増大するように、活性層となるプレーナドープ層、変調ドーピング層、多重量子井戸層、又は半導体超格子型井戸層として両性不純物をドープした化合物半導体層を形成し、その上に化合物半導体にてなるコンタクト層と電極とを形成することによって、上記段差によって形成される上記活性層の平坦部と斜面部との間に於いて伝導型の違いで横方向p-n接合を形成しかつ上記横方向のp-n接合においてトンネル効果を出現させることを特徴とするトンネル効果型半導体装置。