特許

J-GLOBAL ID：200903029831207632

光電変換装置

発明者： 久松 正 ,  中村 一世 ,  小松 雄爾 ,  清水 正文
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034896
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230431
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 トップセルおよびボトムセルの材料の組合せの最適化を図り、より高い光電変換効率を実現した光電変換装置を提供する。【解決手段】 本光電変換装置は、第1および第2のpn接合を備える光電変換装置であって、第1のpn接合は実質的に(Al1-yGay)1-xInxPで表示される半導体(4)中に形成され、第2のpn接合は実質的にGa1-zInzAsで表示される半導体(2)中に形成されている。

請求項（抜粋）：

第1および第2のpn接合を備える光電変換装置であって、第1のpn接合は実質的に(Al1-yGay)1-xInxPによって表示される半導体中に形成され、第2のpn接合は実質的にGa1-zInzAsによって表示される半導体中に形成されている、光電変換装置。

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 Y

Fターム (9件)：

5F051AA08 ,  5F051BA02 ,  5F051CA14 ,  5F051DA03 ,  5F051DA17 ,  5F051DA19 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-172780
  
• 特開昭51-132793
  
• 特開昭58-180071