特許
J-GLOBAL ID：200903029835857496
酸化ビスマスの生成方法、酸化物膜の形成方法、及び半導体素子のキャパシタ構造の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255542
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142844
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：
【要約】【課題】低温で十分な蒸気圧を有し、分解温度が高く、気化・搬送の過程で分解し難く、長時間に亙って安定した蒸気圧を保つことができ、堆積温度において析出速度が原料供給律速であり、気相中での均一核生成反応が起こらない材料を用い、しかも、基体温度やCVD法における反応圧力の影響を強く受け難い、酸化物膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸化物膜の形成方法は、ビスマス-酸素結合を有するビスマス有機金属化合物を原料として、CVD法にてビスマスを構成元素として含む酸化物膜を形成する。酸化物膜は、Bi系層状構造ペロブスカイト型の強誘電体材料から好ましくは成り、より具体的には、酸化物膜は、Y1系材料(Bi2(Sr,Ba,Ca)(Ta,Nb)2O9)から成ることが好ましい。
請求項（抜粋）：
ビスマス-酸素結合を有するビスマス有機金属化合物を原料として、CVD法にて酸化ビスマスを生成させることを特徴とする酸化ビスマスの生成方法。
IPC (10件)：
C01G 29/00
, C23C 16/40
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/316
C01G 29/00
, C23C 16/40
, H01L 21/316 X
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
