特許
J-GLOBAL ID：200903029836562228
半導体装置の実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072715
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274236
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】異方性導電膜を用いた実装構造において、半導体装置のバンプ面と基板との間を異方性導電膜で充填させるため、異方性導電膜の厚みはバンプ高さと同程度のものを使用する必要があった。一枚の基板に複数の半導体装置を実装するマルチチップモジュールでは、それぞれの半導体装置のバンプ形状に合った異方性導電膜を貼り付けなくてはならず生産性が著しく悪く、また生産設備も大掛かりなものが必要であった。半導体装置のバンプ形状によらず、どのような厚みの異方性導電膜も使用できる実装構造が必要であった。【解決手段】以上の様な問題を解決するために、本発明の半導体装置の実装方法では、半導体装置の直下に凹形状を設けることにより、余分な異方性導電膜をこの部分に充填させたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁性樹脂に導電粒子が分散してなる異方性導電膜を介在させた状態で、半導体装置の所定の面を基板の部品実装面に加熱下で圧着することにより、前記半導体装置の所定の面と前記基板の部品実装面とを前記絶縁性樹脂で接合すると共に、前記半導体装置の所定の面に形成されたバンプと、このバンプに対向する前記基板の部品実装面に形成の電極とを、前記導電粒子を介して電気的に接続する半導体装置の実装方法において、前記半導体装置の直下に凹形状を設けたことを特徴とする、半導体装置の実装方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01R 43/00
, H05K 1/18
, H05K 3/32
H01L 21/60 311 S
, H01R 43/00 H
, H05K 1/18 J
, H05K 3/32 B
