特許
J-GLOBAL ID：200903029836754453

自己整合型ナノチューブ電界効果トランジスタおよびこれを製造する方法

発明者：
アッペンツェラー、イェルク

アッペンツェラー、イェルク について

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アヴォリス、フェドン

アヴォリス、フェドン について

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チャン、ケヴィン、ケイ

チャン、ケヴィン、ケイ について

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コリンズ、フィリップ、ジー

コリンズ、フィリップ、ジー について

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マーテル、リチャード

マーテル、リチャード について

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ウォン、ホン-サム、フィリップ

ウォン、ホン-サム、フィリップ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-579292
公開番号（公開出願番号）：特表2006-508523
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 自己整合型カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタ半導体デバイスを提供する。【解決手段】 基板(102)上に堆積したカーボン・ナノチューブ(104)と、カーボン・ナノチューブ(104)の第1の端部および第2の端部にそれぞれ形成されたソースおよびドレイン(106〜107)と、誘電体膜(111)によってカーボン・ナノチューブから分離された、実質的にカーボン・ナノチューブ(104)の一部の上に形成されたゲート(112)とを備える。
請求項（抜粋）：
自己整合型カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタ半導体デバイスであって、 基板上に堆積されたカーボン・ナノチューブと、 前記カーボン・ナノチューブの第1の端部に形成されたソースと、 前記カーボン・ナノチューブの第2の端部に形成されたドレインと、 前記カーボン・ナノチューブから誘電体膜によって分離され、前記カーボン・ナノチューブの一部の上に実質的に形成されたゲートと、 を備える、自己整合型カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタ半導体デバイス。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417
FI (11件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 626Z ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/50 M
Fターム (48件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104EE09 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF12 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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