特許
J-GLOBAL ID:200903029838137460

半導体装置の製造方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用の粘着シート

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-103068
公開番号(公開出願番号):特開2007-281067
出願日: 2006年04月04日
公開日(公表日): 2007年10月25日
要約:
【課題】 半導体ウェハ外周端部のナイフエッジによるウェハの破損を低減できる半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体ウェハ加工用の粘着シートを提供する。【解決手段】 半導体ウェハ加工用の粘着シート12を、外周端部が面取り加工された半導体ウェハ11のパターン形成面に貼り付けて、該半導体ウェハ11を加工する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハ11と、前記粘着シート12であって基材12aに少なくとも粘着剤層12bが設けられた粘着シート12とを貼り合わせる工程と、前記粘着シート12の周縁部を変形加工して、粘着シート12と前記半導体ウェハ11に於ける面取り加工された部分との間の隙間13を塞ぐ工程と、前記半導体ウェハ12のパターン形成面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体ウェハ加工用の粘着シートを、外周端部が面取り加工された半導体ウェハのパターン形成面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体装置の製造方法であって、 前記半導体ウェハと、前記粘着シートであって基材に少なくとも粘着剤層が設けられた粘着シートとを貼り合わせる工程と、 前記粘着シートの周縁部を変形加工して、粘着シートと前記半導体ウェハに於ける面取り加工された部分との間の隙間を塞ぐ工程と、 前記半導体ウェハのパターン形成面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  B24B 37/00
FI (3件):
H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631 ,  B24B37/00 Z
Fターム (4件):
3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

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