抵抗ストリング型D/A変換器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267598
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130477
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】出力電圧の低下を確実に防止しながら、使用するトランジスタの数を減らし、且つ、低電圧電源を用いた場合でも安定した動作を行わせる。【構成】抵抗分圧回路の各分圧点と出力端子とを接続する信号ラインに挿入するスイッチとして、接地電位に近い分圧点201,202,.........,206ではNチャンネルMOSトランジスタ801,802,.........,806を用い、中間電位VDD/2に近い分圧点207,208,209では、トランスミッションゲートを807,808,809を用い、電源電圧VDDに近い分圧点210,211,.........,216では、PチャンネルMOSトランジスタ810,811,.........,816を用い、デコーダ5からのデコード信号DO1〜DO16を上記スイッチに入力して、スイッチのオンオフ制御を行う。

請求項（抜粋）：

第1電位と該第1電位より低い第2電位との間に複数の抵抗を直列接続してなる抵抗分圧回路と、入力されるmビットのデジタル信号をnビット(m<n)のデジタル信号にデコードするデコーダと、変換したアナログ信号を出力する出力端子と、前記抵抗分圧回路の各分圧点と前記出力端子とを接続する信号ラインに挿入され、前記デコーダの各ビット出力によりオンオフ制御される複数のスイッチ手段とを有する抵抗ストリング型D/A変換器において、前記第1電位近辺の前記スイッチ手段をPチャンネルMOSトランジスタで構成し、前記第2電位近辺の前記スイッチ手段をNチャンネルMOSトランジスタで構成し、前記第1及び第2電位の中間電位近辺の前記スイッチ手段をトランスミッションゲートで構成したことを特徴とする抵抗ストリング型D/A変換器。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-172046 出願人：株式会社日立製作所, 日立米沢電子株式会社
DーAコンバータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-225692 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

前のページに戻る