特許

J-GLOBAL ID：200903029847079375

GaN系化合物半導体のエピタキシャル成長方法

発明者： ▲吉▼田 清輝 ,  入川 理徳
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018014
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213639
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 GaP、GaAs、InP等の化合物半導体基板にV溝を形成し、このV溝内にGaN系化合物半導体の多層よりなる量子ワイヤー構造を形成するGaN系化合物半導体のエピタキシャル成長方法を提供することである。【解決手段】 GaP、GaAs、InP等の基板上にSiO2 の薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法を使用してこのSiO2 の薄膜の一部領域を除去して、SiO2 マスクを形成し、トリスジメチルアミノフォスフィンまたはトリスジメチルアミノアルシンをエッチャントとして使用して、前記GaP、GaAs、InP等の基板にエッチングを実行して、このGaP、GaAs、InP等の基板にV溝を形成し、トリスジメチルアミノフォスフィンまたはトリスジメチルアミノアルシンをP源またはAs源としてなすMOVPE法を使用して、上記のV溝内に、GaN系化合物半導体の多層を形成して、量子ワイヤーを形成するGaN系化合物半導体のエピタキシャル成長方法である。

請求項（抜粋）：

GaP基板上にSiO2 の薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法を使用して前記SiO2 の薄膜の一部領域を除去して、SiO2 マスクを形成し、550°C〜650°Cの温度において、トリスジメチルアミノフォスフィンをエッチャントとして使用して、前記GaP基板にエッチングを実行して、該GaP基板にV溝を形成し、該V溝内に、GaN系化合物半導体の多層を形成して、量子ワイヤーを形成することを特徴とするGaN系化合物半導体のエピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/302 F