特許

J-GLOBAL ID：200903029851908424

被処理層の処理方法

発明者： 桐原 武始
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-176675
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351866
出願日： 2005年06月16日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】 工程数の増加を可及的に抑制し、サイドエッチの進行を防止して、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。【解決手段】 第1エッチング処理工程の後に、被覆処理工程を行うことによって、サイドエッチによって形成される被処理層A3の側面をレジスト層1によって被覆することができる。これによって、第2エッチング処理工程において、被処理層A3が前記側面からエッチングされることを防止することができる。第1エッチング処理工程と第2エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、少ない工数で、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成される複数の被処理層の表面の一部を外部に露出させて、レジスト層を形成するレジスト形成工程と、 前記レジスト形成工程において形成されたレジスト層をマスクとして、等方性エッチングによって、前記表面の一部を外部に露出させた被処理層をエッチング処理する第1エッチング処理工程と、 第1エッチング処理工程で形成された空間に臨み、第1エッチング処理工程で形成された被処理層の側面を、レジスト層の一部を変形することによって被覆する被覆処理工程と、 被覆処理工程後のレジスト層をマスクとして、等方性エッチングによって、第1エッチング処理工程でエッチング処理された被処理層と基板との間の1つまたは複数の被処理層をエッチング処理する第2エッチング処理工程とを含むことを特徴とする被処理層の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L21/306 Q ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/30 570

Fターム (14件)：

5F004DB03 ,  5F004EA01 ,  5F004EA08 ,  5F004EA10 ,  5F004EA25 ,  5F004EA28 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F043AA31 ,  5F043CC09 ,  5F043CC11 ,  5F043DD12 ,  5F043FF03 ,  5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭58-42231号公報