特許

J-GLOBAL ID：200903029855221970

冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法

発明者： 室山 雅和 ,  齋藤 一郎 ,  井上 浩司 ,  大川 竜也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-067643
公開番号（公開出願番号）：特開2001-256884
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】簡素な構造を有し、しかも、効率良く、且つ、安定して電子放出領域から電子を放出させ得る冷陰極電界電子放出素子を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子は、(a)支持体11上に形成された電子放出領域10、(b)支持体11上に形成されたゲート電極支持部13、及び、(c)ゲート電極支持部13によって支持され、電子放出領域10の上方に配設された複数の孔部16を有するゲート電極15から成る。

請求項（抜粋）：

(a)支持体上に形成された電子放出領域、(b)支持体上に形成されたゲート電極支持部、及び、(c)ゲート電極支持部によって支持され、電子放出領域の上方に配設された複数の孔部を有するゲート電極、から成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。

IPC (4件)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

Fターム (7件)：

5C031DD17 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG12 ,  5C036EG15 ,  5C036EH01 ,  5C036EH05