特許

J-GLOBAL ID：200903029857861942

複数のゾーンを有した原子層堆積装置および複数のゾーンを用いた原子層堆積方法

発明者： アントニッセン、エリック
出願人/特許権者： アトミシティ システムズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-534919
公開番号（公開出願番号）：特表2008-516428
出願日： 2005年10月04日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】可動基板ホルダに取付けられた基板上に薄膜を作成する方法および装置を開示する。堆積チャンバ内で、基板は一連の専用の堆積ゾーンを通過し、少なくとも2つの異なる反応物質で表面反応が繰り返される。反応物質は、ガス供給システムから専用の排気ゾーンに送られる。該システムは、基板の通過を調整するよう時間設定された高速弁を有し、それにより、反応ガスは堆積ゾーンに繰り返し注入される。専用の堆積ゾーンは、専用の排気ゾーンによって区切られ、該排気ゾーンは、排気ガス中に異なる反応化学種が混合することを最小化するか解消するために分離した通路に沿って反応ガスを指向させる。その結果、排気システム内の堆積が減少する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の前駆物質領域を有し、前記前駆物質領域のそれぞれは、1つまたは複数の排気ゾーンで区切られた1つまたは複数の吸気ゾーンを有する、チャンバ部と、 前記チャンバ部に近接して配置され、基板を前記前駆物質領域に周期的に通過させる基板ホルダと、を備え、 基板を前記前駆物質領域の前記吸気ゾーンに通過させることにより、前記前駆物質領域に対応した堆積ゾーンを形成し、 隣接する前駆物質領域に対応した堆積ゾーンは、前記チャンバ部と前記基板ホルダとの間に形成されたギャップによって分離し、前記ギャップは前記排気ゾーンよりも低いガスコンダクタンスを有し、 前記前駆物質領域のそれぞれに関し、前記吸気ゾーンは前記堆積ゾーン内に前駆物質ガスを注入するためのものであり、前記排気ゾーンは前記堆積ゾーンから過剰な前駆物質ガスおよび/または反応副生成物を排気するためのものであり、前記排気ゾーンは前記堆積ゾーンよりも高いガスコンダクタンスを有し、前記ギャップおよび前記排気ゾーンは、前記前駆物質ガスの他の前駆物質領域へのクロス流動を抑制するように配置されていることを特徴とするALD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455

Fターム (23件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AA16 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045DQ12 ,  5F045DQ14 ,  5F045EC01 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18