高性能シリコンパワーデバイスにおける不均一少数キャリア寿命分布

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-564229
公開番号（公開出願番号）：特表2002-522901
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2002年07月23日
要約：

【要約】セグメントにおける少数キャリア再結合中心のプロファイルに影響を与えるために、単結晶シリコンセグメントを熱処理する方法。セグメントは前表面と、後表面と、前表面と後表面の間にある中央平面を有する。本発明の方法では、セグメントは結晶格子空孔を形成するために熱処理に付され、空孔はシリコンのバルクに形成される。セグメントはその後、中央平面にあるいは中央平面の近くにピーク密度があり、濃度がセグメントの前表面の方向にほぼ減少していく空孔濃度プロファイルを有するセグメントを製造するために、前表面に拡散する結晶格子空孔のすべてではないが、いくつかを許容する速度で熱処理の温度から冷却される。白金原子はその後に、結果的に生じる白金濃度プロファイルが実質的に結晶格子空孔の濃度プロファイルに関連するようにシリコンマトリックスのなかに内方拡散される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンセグメントであって、一方の主表面がセグメントの前表面であり、もう一方の主表面がセグメントの後表面である2つのほぼ平行な主表面と、前表面と後表面の間にある中央平面と、前表面と後表面を接合している周囲縁と、前表面の下のセグメントの領域および前表面から中央平面に向かって測定された距離D1とから成る表面層と、中央平面と第1領域の間にあるセグメントの第2領域から成るバルク層とを有し、前記セグメントが、セグメントが少数キャリア再結合中心の不均一分布を有し、バルク層の中心の濃度が表面層の濃度よりも大きく、中心の濃度プロファイルが、中心のピーク密度が中央平面でまたは中央平面の近くにありかつ濃度がセグメントの前表面の方向にピーク密度の位置からほぼ減少していくという濃度プロファイルであることを特徴とする単結晶シリコンセグメント。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , H01L 29/744 , H01L 29/861

FI (3件)：

H01L 21/322 K , H01L 29/74 C , H01L 29/91 J

Fターム (2件)：

5F005AG00 , 5F005AG01

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-125933
特開平1-208830
特開平2-051236

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る