特許
J-GLOBAL ID：200903029864249004
内部電源回路及び不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200115
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028194
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 可変電位差検知回路を用いたフィードバック制御方式の内部電圧回路が出力する内部電圧はリップ状になり、安定した定電圧を得られない。【解決手段】 可変電位差検知回路と電圧レギュレータ回路の組み合わせにより、高効率に内部昇圧し、その昇圧電圧から基準電圧の整数倍の内部電圧を得ることができる。その内部電圧を用いてメモリセルのしきい値分布測定を装置単体で行うことができる。
請求項（抜粋）：
基準電圧を出力する基準電圧回路と、昇圧制御信号を入力し昇圧動作を制御する昇圧制御回路と、前記昇圧制御回路に制御されて昇圧動作を行い昇圧電圧を出力する昇圧回路と、前記基準電圧と分圧制御信号と前記昇圧電圧とグランドを入力し、前記分圧制御信号により前記昇圧電圧と前記グランドの入力電圧の電位差を所定の分圧比で分圧して分圧電圧を生成し、前記分圧電圧を基準電圧と比較判定し、判定結果を前記昇圧制御信号として出力する可変電位差検知回路と、前記基準電圧と分圧制御信号と前記昇圧電圧を入力し、前記分圧制御信号により決定する前記基準電圧の整数倍の電圧を内部電圧として出力する電圧レギュレータ回路とを備えた内部電源回路。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 632 A
, G05F 3/24 A
, G11C 17/00 634 E
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD06
, 5B025AD09
, 5B025AD10
, 5B025AD16
, 5B025AE08
, 5B025AE09
, 5H420NA03
, 5H420NA31
, 5H420NB02
, 5H420NB25
, 5H420NC03
