特許

J-GLOBAL ID：200903029865472483

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 中島 充雄 ,  上村 孝明 ,  川久 慶人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236261
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094749
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 基板界面近傍にアモルファス層の存在しない微結晶シリコン膜をデバイス形成上十分な成膜速度で形成する。【構成】 透光性絶縁基板1上にゲート電極層2を形成する工程と、このゲート電極層上にゲート絶縁層3を介して気相成長法によりシリコン層4を形成する工程と、このシリコン層に実質的にオーミック接合するソースおよびドレイン電極層7,8とを形成する工程とを有するTFTの製造方法において、シリコン層を形成する工程は、ゲート絶縁層界面近傍におけるシリコン層形成時における原料ガスの水素濃度と、ゲート絶縁層界面近傍にシリコン層が形成された後の原料ガスの水素濃度との比を 1以上とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にゲート電極層を形成する工程と、このゲート電極層上にゲート絶縁層を介して気相成長法によりシリコン層を形成する工程と、このシリコン層に実質的にオーミック接合するソースおよびドレイン電極層とを形成する工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法において、前記シリコン層を形成する工程は、前記ゲート絶縁層界面近傍における前記シリコン層形成時における原料ガスの水素濃度と、前記ゲート絶縁層界面近傍に前記シリコン層が形成された後の原料ガスの水素濃度との比を 1以上とすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-025074