超高速シンチレータとしてのZnO単結晶およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：重信和男 , 加古進 , 清水英雄 , 高木祐一 , 中野佳直
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005009243
公開番号（公開出願番号）：WO2005-114256
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2005年12月01日
要約：

【課題】BaF2などに代わる高速シンチレータ用結晶材料を見出すこと、その材料の安価な製造法を見出すことが目的である。【解決手段】(Zn1-xMx)O1+x(M:Al,Ga,In,Y,Sc,La,Gd,Lu)(x=0〜0.0500),(Zn1-xM’x)O1+2x(M’:Si,Ge,Sn,Pb)(x=0〜0.0250)又は(Zn1-xCdx)O(x=0〜0.0500)の単結晶をシンチレータとして用いる。 ZnO単結晶の不純物を低減し、発光を阻害する不純物を排除するため、溶液が直接オートクレーブと接触しないように白金内筒を用い、また鉱化剤としてLiOH,KOHを用いることで、ZnO単結晶の欠陥を低減させることができた。水熱合成の際の出発原料に、Al2O3,Ga2O3,In2O3、Si,Cd等を加えることにより、ZnOへのドーピングが可能になった。仕込み量を変えることでドーピング量も制御可能である。また、これらの元素がドープされることで、結晶欠陥による可視域の発光が抑制され、励起エネルギーを効率良くフリーエキシトンからの発光へ変換できるようになった。

請求項（抜粋）：

(Zn1-xMx)O1+x(M:Al,Ga,In,Y,Sc,La,Gd,Lu)(x=0〜0.0500),(Zn1-xM’x)O1+2x(M’:Si,Ge,Sn,Pb)(x=0〜0.0250)又は(Zn1-xCdx)O(x=0〜0.0500)の単結晶をシンチレータとして用いることを特徴とするシンチレーション検出器。

IPC (7件)：

C09K 11/54 , G01T 1/20 , G01T 1/202 , C30B 7/10 , C30B 29/16 , C09K 11/00 , C09K 11/08

FI (7件)：

C09K11/54 , G01T1/20 B , G01T1/202 , C30B7/10 , C30B29/16 , C09K11/00 E , C09K11/08 A

Fターム (30件)：

2G088EE02 , 2G088FF04 , 2G088FF07 , 2G088GG10 , 2G088JJ37 , 4G077AA02 , 4G077BB07 , 4G077CB03 , 4G077EC07 , 4G077HA02 , 4G077KA01 , 4G077KA03 , 4H001CA04 , 4H001CA08 , 4H001CF02 , 4H001XA08 , 4H001XA30 , 4H001YA13 , 4H001YA14 , 4H001YA21 , 4H001YA31 , 4H001YA32 , 4H001YA39 , 4H001YA48 , 4H001YA49 , 4H001YA50 , 4H001YA57 , 4H001YA64 , 4H001YA71 , 4H001YA82

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