特許
J-GLOBAL ID：200903029868450901
加速度センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324031
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183543
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】可動電極と固定電極のギャップ部を気密に封止し、可動電極と固定電極を簡単な形状で構成し、且つ、可動電極と固定電極と電子回路を同一基板に配置することにより、ゴミや水の影響を受けず、チップ面積が小さく、且つ、浮遊容量の影響が小さい半導体容量式加速度センサを提供する。【構成】加速度センサは、ガラス層101、シリコン層103、105より構成され、ガラス層101とシリコン層103とはポリシリコン102を介して、シリコン層103と105とは酸化膜104を介して接着されている。そして、加速度によりセンサの長手方向に揺動する可動電極107と、それに対向して配置された固定電極106、108とが、エッチング加工法によりシリコン層103の厚み方向に溝が堀込まれ、シリコン層103に形成されている。また、静電容量を検出する電子回路109が、同一基板のシリコン層103に形成されている。
請求項（抜粋）：
弾性を有する梁にて支持され加速度による慣性力によって移動する可動電極と、前記可動電極との間に微小ギャップを有し対向する固定電極とを備え、前記可動電極と前記固定電極間の静電容量の変化を検出して加速度を測定する加速度センサにおいて、前記可動電極および前記固定電極は、半導体基板の表面から垂直にエッチングを施して前記可動電極と前記固定電極との周囲に前記微小ギャップを含む溝を堀込み、前記半導体基板の一部をエッチングされずに残して形成されたものであって、別にエッチングされずに残されて前記可動電極と前記固定電極とを絶縁し前記微小ギャップを保持するように支持する支持体と、前記可動電極と前記固定電極とを上下方向の少なくとも1方向から挾んで前記微小ギャップを含む前記溝を封止する封止体とを設けたことを特徴とする加速度センサ。
IPC (4件)：
H01L 29/84
, C23F 1/00
, G01P 15/125
, H01L 21/306
