特許

J-GLOBAL ID：200903029877846125

光半導体装置

発明者： 大橋 真 ,  古山 英人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351051
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202321
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】高利得で厚い活性層からなる活性領域を実現し得る構造の光半導体装置を提供すること。【構成】複数のダブルへテロ構造が積層されてなる活性領域16と、ダブルヘテロ構造のヘテロ接合面に平行な方向からキャリアを注入するための半導体電極層18,19とを備えている。

請求項（抜粋）：

複数のダブルへテロ構造が積層されてなる活性領域と、前記ダブルヘテロ構造のヘテロ接合面に平行な方向からキャリアを注入するキャリア注入手段とを具備してなり、前記ダブルヘテロ構造を構成するクラッド層は、前記ダブルヘテロ構造内のキャリア密度が他の部分のそれより高くなるように形成されていることを特徴とする光半導体装置。