特許

J-GLOBAL ID：200903029877905261

堆積プロセスにおけるSiH4ソーク及びパージの利用

発明者： メン チュ ツェン ,  メイ チャン ,  ラマヌジャプラム エー. スリニバス ,  クラウス-ディエター リネン ,  モシェ アイゼンバーグ ,  スーザン テルフォード
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012660
公開番号（公開出願番号）：特開平10-212583
出願日： 1995年09月27日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、6フッ化タングステン(WF6)およびジクロロシラン(DCS)からタングステンケイ素化物(WSix)の堆積プロセスのようなCVDプロセスの改良されたプロセスを提供するものであり、さらには、基板上のWSixの堆積に続く新規シラン(SiH4)パージステップを含むプロセスを提供するものであり、さらには、基板上のWSixの堆積に先立って新規なSiH4のソーク(soak)ステップを含むプロセスを提供するものである。【解決手段】 本発明に係る方法は、ガス混合物を用いて物質を基板表面に堆積するステップと、SiH4をチャンバに流すことにより残留ガスをパージするステップとを含む。好ましくは、WF6、ジクロロシラン、および貴ガスの混合物を用いて、WSixが半導体ウエハ上に堆積され、そして、チャンバが、その後SiH4をチャンバに流すことにより、残留WF6とジクロロシランがパージされる。

請求項（抜粋）：

真空処理装置のチャンバ内で基板を処理する方法であって、(i) 前記基板の表面上にケイ素化物ないしシリサイドを堆積する堆積のステップと、(ii)前記チャンバにジクロロシラン(DCS)を流入させて、前記チャンバをパージし前記堆積のステップで残留した残留ガスを除去するDCSパージのステップとを有する方法。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 堆積プロセスにおけるSiH4ソーク及びパージの利用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-249796   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド