電極形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127566
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326438
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 n型の化合物半導体に対するオーミックメタルとしてAu-Ge系合金を用いて、それぞれの組成割合を安定に制御でき、特性にばらつきのない均一な接触抵抗を有する電極を再現性良く形成する。【構成】化合物半導体上に、少なくともAuと、Ni及びGeの各層を順次積層して被着し、Au、Ni及びGeの組成割合を、Auの濃度を50〜70原子%とし、且つGeの濃度をNi濃度の1/3〜0.7原子%として形成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体上に、少なくともAuと、Ni及びGeの各層を順次積層して被着し、上記Au、Ni及びGeの各層の組成割合を、Auの濃度を50〜70原子%とし、且つGeの濃度をNi濃度の1/3〜0.7原子%とすることを特徴とする電極形成方法。

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