半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242321
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057280
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板の裏面側パターン又はベース板に接合部の厚さを規制する複数個の突起が設けられる半導体装置において、絶縁基板の裏面側パターンの周縁や、突起の端部の周囲に位置する接合部に生じようとする熱ストレスを抑制し、接合材の耐クラック性を向上させ、信頼性に優れる半導体装置を得る。【解決手段】絶縁基板の裏面側パターン又はベース板に、上記裏面側パターンとベース板との接合部の厚さを規制する複数個の突起を設け、この突起における上記裏面側パターンの周縁に面する端部を、上記周縁から1mm〜10mm離間した領域に位置させると共に、上記接合部は、上記裏面側パターンの周縁に対向する位置を含み内側に1mm離間した位置の領域までの厚さが、他の領域の厚さよりも厚く形成されている。

請求項（抜粋）：

両面に導電パターンが形成され、その表面側パターンに半導体素子が実装されると共に、裏面側パターンにベース板が接合部を介して接合される絶縁基板を備え、上記裏面側パターン又は上記ベース板に上記接合部の厚さを規制する複数個の突起が設けられる半導体装置において、上記突起は、上記裏面側パターンの周縁に面する端部が上記周縁から1mm〜10mm離間した領域に位置し、上記接合部は、上記裏面側パターンの周縁に対向する位置を含み内側に1mm離間した位置の領域までの厚さが、他の領域の厚さよりも厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 25/04 C , H01L 23/12 L

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