特許

J-GLOBAL ID：200903029889187496

磁気抵抗センサ

発明者： 中田 正文 ,  藤方 潤一 ,  林 一彦 ,  山本 英文 ,  石原 邦彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201692
公開番号（公開出願番号）：特開平10-049830
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 耐食性が高く、合成温度が低い反強磁性体の交換バイアス層を用いた磁気抵抗センサを提供する。【解決手段】 基板11上に下地層12を積層し、磁気抵抗センサを形成する。すなわち、下地層12の上に交換バイアス層としてNiO層13と界面制御層14の二層膜を積層し、第二の強磁性体層15、非磁性体スペーサ層16、第一の強磁性体層17を順次積層し磁気抵抗センサを形成する。界面制御層14は、非磁性金属、Cr若しくはMn又はその酸化物、鉄酸化物等である。

請求項（抜粋）：

非磁性体スペーサ層と、この非磁性体スペーサ層によって互いに分離された第一の強磁性体層及び第二の強磁性体層と、この第二の強磁性体層の磁化を所望の方向に維持するための交換バイアス層とを備えた磁気抵抗センサにおいて、前記交換バイアス層がニッケル酸化物と非磁性金属との積層膜からなり、かつこの非磁性金属が前記第二の強磁性体層と接することを特徴とする磁気抵抗センサ。