特許

J-GLOBAL ID：200903029899611415

アドレス可能な電界放出陰極及び関連したディスプレイ構造物の製造方法

発明者： ブリヤブリン,アレクサンドル・アレクサンドロヴィッチ ,  ラクヒモフ,アレクサンドル・ツルスノヴィッチ ,  サモロドフ,ヴラディミール・アナトリエヴィッチ ,  スーティン,ニコライ・ヴラディスラヴォヴィッチ
出願人/特許権者： オブシェストヴォ・ス・オグラニチェンノイ・オトゥヴェストヴェンノスチュ・“ヴィソキー・テクノロジー”
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-562727
公開番号（公開出願番号）：特表2003-524870
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：

【要約】本発明はマイクロ電子機器に関し、そしてガス相合成法を用いて、炭素ガスを供給された水素流中において放出層をアドレス可能な電界放出陰極の要素に付与することから成る。誘電体基板は耐高温材料から作られ、アドレス可能な電界放出陰極の分離要素は耐高温金属から作られる。炭素放出層を堆積するプロセスを選択することにより、即ち、基板温度、反応器スレッド、反応器を通るガス混合物のポンプ排気速度、反応器スレッドと基板との間の間隔、及び堆積時間を選択することにより、誘電体基板上の放出層の成長速度は前記金属分離要素上の放出層の成長速度より小さくなる。陰極の金属分離要素は2つの金属層から作られる。上方の金属層は残留層から所望の形状に形成される前に除去される。この層の材料はその放出特性が上方の金属層から必要な電流を保証できるように選ばれる。ディスプレイ構造物を製造するために、陰極が必要な電流を放出するフィールド密度よりも高い放出しきい値を有する金属層から制御格子が得られる。本発明は放出層を除去する操作を回避でき、その結果、高い特性に加えて、高性能で低コストのフラットディスプレイを製造できる。

請求項（抜粋）：

アドレス可能な電界放出陰極の製造方法であって、高温材料から成る誘電体基板の上に交互に分離した放出要素の構造物を形成することを含み、前記放出要素は前記誘電体基板上に高温金属製の分離金属要素を堆積し、次いでこれらの上に炭素含有放出層を堆積することにより製造され、このとき前記炭素含有放出層はガス相合成の方法により堆積され、このガス相合成の方法は反応器の金属フィラメントと反応器中の基板を水素流中で加熱し、炭素含有ガスを前記水素流中に導入し、保護メッシュスクリーンを通して堆積を実施することを含み、そして前記堆積の条件は前記誘電体基板上の前記放出層成長速度が前記分離金属要素上の成長速度よりも実質的に小さくなるように選択される。

IPC (2件)：

H01J 9/02 ,  C23C 16/26

FI (2件)：

H01J 9/02 B ,  C23C 16/26

Fターム (31件)：

4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA10 ,  4K030BA12 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA22 ,  4K030BA27 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BB05 ,  5C127CC03 ,  5C127CC09 ,  5C127CC10 ,  5C127CC62 ,  5C127DD08 ,  5C127DD10 ,  5C127DD38 ,  5C127EE02 ,  5C127EE15